- 专利标题: 纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片
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申请号: CN202310798837.4申请日: 2023-07-03
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公开(公告)号: CN116525659B公开(公告)日: 2023-09-12
- 发明人: 余山 , 陈燕宁 , 刘芳 , 王凯 , 吴波 , 邓永锋 , 鹿祥宾 , 刘倩倩 , 郁文 , 邵亚利
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 谢熠
- 主分类号: H01L29/40
- IPC分类号: H01L29/40 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要:
本发明涉及半导体领域,提供一种纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片。纵向栅LDMOSFET器件包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区,还包括:纵向设置于所述体区与所述漂移区之间的氧化层,以及纵向设置于体区的纵向栅结构;所述氧化层和所述纵向栅结构均与所述阱区相接,所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区与所述氧化层以及所述漂移区构成第一场板结构;所述纵向栅结构包括纵向栅以及栅氧化层,所述纵向栅以及位于纵向栅底部的栅氧化层与所述阱区构成第二场板结构。本发明通过纵向设置氧化层和纵向栅结构,形成双场板结构,提高器件的击穿电压,同时减少漂移区的横向面积,从而减少芯片所占面积,降低成本。
公开/授权文献
- CN116525659A 纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片 公开/授权日:2023-08-01