发明公开
- 专利标题: 锂离子二次电池的制造方法
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申请号: CN202310763612.5申请日: 2017-06-29
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公开(公告)号: CN116544521A公开(公告)日: 2023-08-04
- 发明人: 落合辉明 , 川上贵洋 , 三上真弓 , 门马洋平 , 高桥正弘 , 鹤田彩惠
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 宋俊寅
- 优先权: 2017-119272 20170619 JP 2017-119272 20170619 JP 2017-119272 20170619 JP 2017-119272 20170619 JP 2017-119272 20170619 JP 2017-119272 20170619 JP
- 主分类号: H01M10/058
- IPC分类号: H01M10/058 ; H01M10/0525
摘要:
本发明提供一种锂离子二次电池的制造方法。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。