本发明提供了一种垂直台面型锗掺镓太赫兹焦平面探测器及其制备方法，包括：高导锗衬底，所述高导锗衬底的一面依次层叠设置有锗掺镓吸收层、正电极接触区以及氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层通过开孔形成有正电极孔；所述高导锗衬底的另一面设置有负电极接触区。本发明采用高导锗衬底外延锗掺镓吸收层，解决平面型探测器中离子注入形成吸收层厚度受限的问题，便于调控吸收层的掺杂浓度和厚度，提高吸收层对长波红外辐射的吸收效率及器件响应率；采用垂直台面型光电导结构设计，避免了本征层的生长，降低了工艺难度，同时较厚的吸收层也提升了器件的吸收能力，有利于大阵列焦平面器件制备，可以有效降低像元间串扰，从而减弱器件的噪声。