Invention Publication
- Patent Title: 一种晶面可调控的二维碲化锡材料及其制备方法
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Application No.: CN202310493652.2Application Date: 2023-05-04
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Publication No.: CN116623151APublication Date: 2023-08-22
- Inventor: 蔡正阳 , 丁常源 , 张志伟 , 顾晓峰 , 南海燕 , 肖少庆
- Applicant: 江南大学
- Applicant Address: 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
- Assignee: 江南大学
- Current Assignee: 江南大学
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
- Agency: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- Agent 吕永芳
- Main IPC: C23C16/30
- IPC: C23C16/30 ; C23C16/44 ; C30B29/46 ; C30B25/18

Abstract:
本发明提供了一种晶面可调控的二维碲化锡材料的制备方法,所述方法包括:将锡源与碲源在保护性气体中进行化学气相沉积反应,在生长衬底表面得到二维碲化锡材料,并且生长的碲化锡材料的晶面与生长衬底的晶面相一致。本发明以第一主族或第二主族与第七主族元素形成的化合物为衬底,在管式炉中放入碲源和锡源,通过化学气相沉积的方法制备二维碲化锡材料,生长的二维碲化锡的晶面会与所选用的衬底的晶面相同,即生长衬底起到调控碲化锡晶面的作用。本发明所述方法简单易操作,过程可控,所得材料形貌良好,具有广阔的应用前景。
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