公开(公告)号：CN116623151A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310493652.2

申请日：2023-05-04

Applicant: 江南大学

Inventor： 蔡正阳 ,  丁常源 ,  张志伟 ,  顾晓峰 ,  南海燕 ,  肖少庆

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种晶面可调控的二维碲化锡材料的制备方法，所述方法包括：将锡源与碲源在保护性气体中进行化学气相沉积反应，在生长衬底表面得到二维碲化锡材料，并且生长的碲化锡材料的晶面与生长衬底的晶面相一致。本发明以第一主族或第二主族与第七主族元素形成的化合物为衬底，在管式炉中放入碲源和锡源，通过化学气相沉积的方法制备二维碲化锡材料，生长的二维碲化锡的晶面会与所选用的衬底的晶面相同，即生长衬底起到调控碲化锡晶面的作用。本发明所述方法简单易操作，过程可控，所得材料形貌良好，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN117328034A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311255433.7

申请日：2023-09-26

Applicant: 江南大学

Inventor： 蔡正阳 ,  丁常源 ,  林依婷 ,  顾晓峰 ,  肖少庆 ,  南海燕

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供了一种以硫化镉作为硫源生长双层二维材料的方法，所述制备方法包括：将过渡金属源与硫化镉粉末在保护性气体中进行化学气相沉积反应，通过将沉积时的温度控制在700‑850℃，在生长衬底表面制备出AA堆叠和AB堆叠的双层过渡金属硫族化合物。所述双层过渡金属硫族化合物的尺寸为10‑100μm，厚度为1～3nm。本发明首次提出使用单硫分子的硫化镉粉体作为硫源来进行化学气相沉积生长堆叠方式可控的双层二维材料，本发明所述方法简单易操作，过程可控，所得材料形貌较好，具有广阔的应用前景。