本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，通过在基底所包括的隔离结构内开设沟槽图形，以消除基底翘曲，从而防止电路结构的形状变形，使得半导体器件具有稳定的工作性能。所述半导体器件包括基底。基底包括隔离结构以及至少两个电路结构。隔离结构覆盖在至少两个电路结构上。隔离结构内开设有沟槽图形。至少两个电路结构位于沟槽图形围成的区域内。沟槽图形用于消除基底翘曲。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案提供的半导体器件。