本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层、第一金属层以及第一硬掩膜；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。