公开(公告)号：CN117476457B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311831195.X

申请日：2023-12-28

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 张春凤 ,  吕昆谚 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  杨列勇 ,  陈为玉 ,  张天仪

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L21/304 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 本申请涉及一种半导体制造方法及半导体器件，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一第一晶圆；在第一晶圆中形成晶体管；提供一第二晶圆，第二晶圆包括第一表面和第二表面；在第二晶圆的第一表面上形成硬掩模层；图形化硬掩模层；以图形化的硬掩模层作为遮挡刻蚀第二晶圆的至少一部分，形成由第一表面向下打开的第一孔洞；将第二晶圆的图形化的硬掩模层与第一晶圆的正面键合，键合后第一孔洞被第一晶圆所封闭；对第一晶圆的背面进行减薄；对第二晶圆的第二表面侧进行减薄且打开第一孔洞。该半导体制造方法可以在封装过程中将晶圆减薄至更薄的厚度同时不会出现碎裂等缺陷，且工艺精度更易控制。

公开(公告)号：CN116721918A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310425489.6

申请日：2023-04-19

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 颜天才 ,  钟育腾 ,  吕昆谚 ,  黄任生 ,  杨列勇 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L23/34 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层、第一金属层以及第一硬掩膜；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。

公开(公告)号：CN117497411B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311852336.6

申请日：2023-12-29

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 张梦晨 ,  吕昆谚 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  杨列勇 ,  陈为玉 ,  张天仪

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及一种制作IGBT的方法及IGBT半导体结构，该方法至少包括以下步骤：提供一器件晶圆，器件晶圆包括相互背离的第一表面和第二表面；在器件晶圆的第一表面上形成半导体器件功能区，半导体器件功能区包括金属层；提供一支撑晶圆，支撑晶圆包括相互背离的第三表面和第四表面；将器件晶圆和支撑晶圆进行键合，且器件晶圆的第一表面与支撑晶圆的第三表面相对；对器件晶圆从第二表面的一侧进行减薄；对支撑晶圆从第四表面的一侧进行减薄；形成由支撑晶圆的第四表面侧贯通至半导体器件功能区中的金属层的孔洞；对器件晶圆执行IGBT背面工艺。该方法极大地简化了生产工艺，在获得稳定支撑的情况下可以获得整体更小的厚度。

公开(公告)号：CN117253791A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311541572.6

申请日：2023-11-20

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 任世强 ,  吕昆谚 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  杨列勇

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/683 ,  H01L29/739 ,  H01L23/34

摘要： 本发明涉及一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，其中，IGBT器件的制作方法包括以下步骤：提供一用于制作IGBT器件的第一晶圆；对第一晶圆执行IGBT正面工艺；在第一晶圆的正面形成具有第一孔隙率的第一非晶硅层；提供一第二晶圆；在第二晶圆的表面形成具有第二孔隙率的第二非晶硅层，第二孔隙率与第一孔隙率不同；将第一晶圆的第一非晶硅层和第二晶圆的第二非晶硅层相对地键合在一起，以将第一晶圆和第二晶圆连接在一起形成晶圆组合；对晶圆组合中的第一晶圆的背面执行IGBT背面工艺；将第一晶圆和第二晶圆分离，以将第二晶圆移除。该方法不需要订制薄片机台进行减薄，可以节省机台成本，并且不容易出现破片等缺陷，提高工艺的稳定性。

公开(公告)号：CN116387155A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310422241.4

申请日：2023-04-19

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 颜天才 ,  吕昆谚 ,  黄任生 ,  杨列勇 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L23/34 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺),沉积层间介质层、第一金属层以及第一硬掩膜；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。

公开(公告)号：CN118841314A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410816050.0

申请日：2024-06-24

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 张文鑫 ,  李科 ,  杨同同 ,  杨列勇 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，半导体器件的制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成N‑外延层；在N‑外延层中形成由表面打开至内部的至少两个沟槽；通过第一次外延填充在沟槽内形成本征填充层，本征填充层覆盖沟槽的底部和侧面；通过至少一次外延填充形成覆盖本征填充层的至少一层P型填充层，至少一层P型填充层将剩余的沟槽部分填满；执行退火工艺，以使P型填充层中的P型杂质向本征填充层扩散但不越过本征填充层与N‑外延层的边界。通过该半导体器件的制造方法可以避免杂质直接扩散至N型区而影响N型区的宽度，保证了器件较低的导通电阻。

公开(公告)号：CN117253790A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311532215.3

申请日：2023-11-17

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 吕昆谚 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  杨列勇 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，其中，IGBT器件的制作方法，包括以下步骤：提供一用于制作IGBT器件的第一晶圆；对第一晶圆的正面执行IGBT正面工艺，以在第一晶圆的正面形成金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管；提供一第二晶圆；向第二晶圆的正面注入氢离子，以在第二晶圆中形成含氢层；将第一晶圆的正面和第二晶圆的正面相对地键合在一起，以将第一晶圆和第二晶圆连接在一起形成晶圆组合；对晶圆组合中的第一晶圆的背面执行IGBT背面工艺；通过退火工艺使第二晶圆在含氢层断裂，以将第二晶圆位于含氢层和第二晶圆的背面之间的部分移除。该方法不需要订制薄片机台进行减薄，可以节省机台成本，并且不容易出现破片等缺陷，提高工艺的稳定性。

公开(公告)号：CN116825631A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310422245.2

申请日：2023-04-19

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 颜天才 ,  钟育腾 ,  吕昆谚 ,  黄任生 ,  杨列勇 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L23/34 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。

公开(公告)号：CN116631872A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310716074.4

申请日：2023-06-15

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 任世强 ,  颜天才 ,  吕昆谚 ,  黄任生 ,  杨列勇 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提出一种沟槽栅功率器件的制作方法及沟槽栅功率器件，该方法包括：在衬底的正面形成第二通孔，第二通孔中延伸至衬底背面的漏区，因而将漏极引入衬底的正面，因此省去了衬底减薄及背面金属工艺。一方面衬底的厚度可以更薄，进而降低了衬底电阻，获得更低导通电阻的沟槽栅功率器件；另一方面省去了背面减薄工艺和背面金属工艺，使得工艺制程与传统logic工艺制程更容易兼容，而且避免了背面减薄工艺产生的破片等问题，提高了产品良率。同时，省去的背面减薄工艺，也不再需要薄片机台,可节省生产成本。

公开(公告)号：CN117524870B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311852331.3

申请日：2023-12-29

申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司

发明人： 吕昆谚 ,  黄任生 ,  颜天才 ,  杨列勇 ,  陈为玉

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及一种晶圆加工方法及晶圆，晶圆加工方法包括：提供晶圆，晶圆的厚度为775um；研磨晶圆背面的边缘区域，以使得边缘区域与中心区域形成一台阶形，研磨边缘区域的宽度为1mm‑5mm，研磨边缘区域的深度为100um‑500um；在晶圆背面沉积形成硬掩膜层，覆盖晶圆背面的边缘区域和中心区域；研磨晶圆背面的中心区域，以使得晶圆背面的中心区域的厚度大于或等于边缘区域的厚度；对晶圆背面研磨后的中心区域进行刻蚀，以使得中心区域的厚度小于边缘区域的厚度，刻蚀后的晶圆背面的中心区域的厚度为30um‑150um；在晶圆背面进行离子注入、退火和金属沉积工艺。本发明解决了晶圆减薄工艺中的破片、表面粗糙的技术问题。