发明公开
- 专利标题: 一种采用定位标记的引线框架双面曝光方法
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申请号: CN202310816358.0申请日: 2023-07-05
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公开(公告)号: CN116755296A公开(公告)日: 2023-09-15
- 发明人: 高小平
- 申请人: 安徽立德半导体材料有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内
- 专利权人: 安徽立德半导体材料有限公司
- 当前专利权人: 安徽立德半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内
- 代理机构: 合肥正则元起专利代理事务所
- 代理商 杨润
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; G03F9/00 ; G03F7/16 ; H05K3/10
摘要:
本发明公开了一种采用定位标记的引线框架双面曝光方法,包括以下步骤:步骤一、选取铜带基板,并对铜带基板进行压膜前清洗;步骤二、对清洗后的铜带基板收卷到放卷辊上,随后通过贴膜机对铜带基板的上表面贴膜;步骤三、通过曝光机对铜带基板上表面选择性曝光,显影后形成电镀区域;步骤四、对曝光后的铜带基板上表面进行电镀,在所述电镀区域镀银且在铜带基板上表面边缘位置电镀出多个定位标记;步骤五、将曝光后的铜带基板翻面,随后对铜带基板的下表面进行贴膜;本发明区别于传统引线框架采用定位孔和定位柱的定位方式在双面曝光时存在偏差,通过定位标记可以对引线框架的加工进行准确定位,从而确保对引线框架加工的精度。
IPC分类: