发明公开
- 专利标题： 掩膜结构及制备方法、在凹槽内进行结构图形化的方法
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申请号： CN202210727515.6申请日： 2022-06-23
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公开(公告)号： CN116770221A公开(公告)日： 2023-09-19
- 发明人: 付英春 , 司朝伟 , 何凡 , 韩国威 , 郭伟 , 赵永梅 , 宁瑾 , 杨富华
- 申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中关村芯海择优科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ;
- 专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,中关村芯海择优科技有限公司,中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,中关村芯海择优科技有限公司,中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ;
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 张博
- 主分类号： C23C14/04
- IPC分类号： C23C14/04 ; C23C14/30 ; C23C14/35 ; G03F1/00
摘要：
本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、在凹槽内进行结构图形化的方法，其中，该掩膜结构包括：衬底层；第一镂空区，第一镂空区位于衬底层上；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层中包含第二镂空区，且第二镂空区位于第一镂空区的上方。
IPC分类:
