公开(公告)号：CN116770221A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210727515.6

申请日：2022-06-23

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中关村芯海择优科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

发明人： 付英春 ,  司朝伟 ,  何凡 ,  韩国威 ,  郭伟 ,  赵永梅 ,  宁瑾 ,  杨富华

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  G03F1/00

摘要： 本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、在凹槽内进行结构图形化的方法，其中，该掩膜结构包括：衬底层；第一镂空区，第一镂空区位于衬底层上；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层中包含第二镂空区，且第二镂空区位于第一镂空区的上方。

公开(公告)号：CN116779426A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210732175.6

申请日：2022-06-23

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中关村芯海择优科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

发明人： 付英春 ,  司朝伟 ,  何凡 ,  韩国威 ,  许玉洁 ,  赵永梅 ,  宁瑾 ,  杨富华

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/285

摘要： 本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、用途，该掩膜结构包括：衬底层；器件安置区，为衬底层上的通孔结构；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层内包含镂空区，镂空区位于器件安置区的上方。

公开(公告)号：CN118529693A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410435356.1

申请日：2024-04-11

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 魏振宇 ,  杨富华 ,  宁瑾 ,  司朝伟 ,  韩国威 ,  赵永梅 ,  王晓东

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

摘要： 本发明提供一种Z轴检测的三明治MEMS加速度计及其制备方法，涉及传感器技术领域，该制备方法包括：提供带有垂直引线的第一硅‑玻璃复合盖板和第二硅‑玻璃复合盖板，以及包括质量块、边框和悬臂梁的结构层；采用阳极键合工艺，将第一硅‑玻璃复合盖板、结构层和第二硅‑玻璃复合盖板从上到下依次对准叠合后进行键合；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的下端与结构层连接；在第一硅‑玻璃复合盖板的上表面形成第一金属电极和第二金属电极；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的上端与第一金属电极连接；在第二硅‑玻璃复合盖板的下表面形成第三金属电极。本发明采用阳极键合方式制备的加速度计可以实现Z轴加速度检测，并提升器件的空间利用率。

公开(公告)号：CN113504394B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202110787431.7

申请日：2021-07-12

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 杨晋玲 ,  刘美杰 ,  朱银芳 ,  杨富华

IPC分类号： G01Q70/16 ,  G01Q60/40

摘要： 本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针，制备方法包括：在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜；形成针尖原胚结构和补偿结构；锐化针尖；背面各向异性深刻蚀体硅层；正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层；去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层，形成基座和悬臂梁；在针尖的表面镀膜，形成镀膜针尖，完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法，实现了探针的可靠制备，该方法操作简单、可靠；通过优化薄膜沉积条件，实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积，可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。

公开(公告)号：CN117198941A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311277793.7

申请日：2023-09-28

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 王晓东 ,  计春雪 ,  包怡迪 ,  陈啸岭 ,  李晔 ,  刘雯 ,  刘庆 ,  杨富华

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法，包括：对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描，获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压；对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照，获取正电极面的光学显微图像；对砷化镓基太阳电池施加反向电压，对正电极面发出的光子进行探测，获取正电极面的光发射位点图像；将光学显微图像与光发射位点图像进行叠加，确定砷化镓基太阳电池上漏电缺陷的发光位置。该方法能够快速实现电池表面漏电缺陷的快速定位。

公开(公告)号：CN117038769A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310964791.9

申请日：2023-08-02

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 王晓东 ,  陈啸岭 ,  刘雯 ,  包怡迪 ,  刘庆 ,  杨富华

IPC分类号： H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供一种混合陷光结构及其制备方法，用于增强量子点中间能带太阳能电池的吸收效率，包括：介质膜，设置于量子点中间能带太阳能电池的上表面；第一介质纳米金字塔阵列层，设置于介质膜的上表面；第二介质纳米金字塔阵列层，设置于量子点中间能带太阳能电池的下表面；反射镜，设置于第二介质纳米金字塔阵列层的下表面。利用第一介质纳米金字塔阵列结构和第二介质纳米金字塔阵列结构增加对光的作用范围，同时利用介质材料钝化电池表面减少电学损失，提高了量子点中间能带太阳能电池对入射光的吸收。

公开(公告)号：CN113270533B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110519862.5

申请日：2021-05-12

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 张明亮 ,  秦源浩 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC分类号： H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  H01L21/66 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

摘要： 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。

公开(公告)号：CN114323869A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210002723.X

申请日：2022-01-04

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 刘庆 ,  杨富华 ,  王晓东 ,  樊中朝

IPC分类号： G01N1/28

摘要： 本公开提供了一种用于半导体衬底样片的划片装置，该装置包括：承片台，被配置为放置半导体衬底样片；导轨架，所述承片台安装在所述导轨架上；以及对刀架，可滑动地安装在所述导轨架上，使所述对刀架在所述承片台上方移动；所述对刀架被配置使切刀沿纵切方向运动过程中，始终与所述对刀架相平行接触。

公开(公告)号：CN113872544A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111184437.1

申请日：2021-10-11

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 杨晋玲 ,  逯玉洁 ,  朱银芳 ,  刘文立 ,  杨富华

IPC分类号： H03H3/007

摘要： 本发明提供一种微机械谐振器的制备方法，其包括以下步骤：获取衬底结构，所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部；在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化，呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设置；淀积第一多晶硅并图形化，对应所述谐振部以及所述两个所述电极部形成有谐振结构、输入电极以及输出电极，其中，所述输入电极以及所述输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；释放所述谐振结构下的所述牺牲层，获得谐振器晶片；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述谐振器晶片，形成MEMS谐振器。保证真空气密性，整体工艺流程简单可靠，可实现高精度、高质量、大批量低成本制备。

公开(公告)号：CN113271080A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110543094.7

申请日：2021-05-18

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 刘文立 ,  杨晋玲 ,  袁泉 ,  陈泽基 ,  杨富华

IPC分类号： H03H9/02

摘要： 本公开提供了一种环形结构酒杯模态射频微机电谐振器，包括：工作在酒杯模态下的呈环形结构的谐振单元；支撑单元，与所述谐振单元的位移节点耦合，用于支撑所述谐振单元悬空；电极，设置于所述谐振单元外围；其中，所述电极与所述谐振单元具有一间隙层，用于所述谐振单元与所述电极之间的机电转换。所述环形结构酒杯模态射频微机电谐振器相比于现有技术的谐振器，热弹性损耗更低，Q值更高，插入损耗更低、高频率稳定性更高，放宽了后级放大电路的增益需求，系统功耗及噪声更低，器件尺寸更小，更有利于器件大规模低成本生产，可用于构建射频系统中的多种高性能射频器件，具备广阔的应用前景。