本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供SONOS存储器的IP单元，IP单元包括依次形成在半导体基底上的顶层金属层和钝化层，钝化层覆盖顶层金属层，顶层金属层呈多个条形状，顶层金属层以及钝化层在端部与半导体基底之间形成有夹角，顶层金属层以及钝化层在侧面与半导体基底之间形成有夹角；在钝化层的表面形成一层第一光刻胶层，第一光刻胶层覆盖钝化层和夹角；去除钝化层表面的第一光刻胶层，将夹角内的第一光刻胶保留；刻蚀钝化层，露出部分顶层金属层的表面，以作为PAD；清除残留在夹角的第一光刻胶层。本发明可以保护顶层金属层在夹角处的边角，防止顶层金属层被误刻蚀，从而减少外观异常及封装可靠性的异常。