发明公开
- 专利标题: 一种聚噻吩包覆多孔碳复合材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202310773264.X申请日: 2023-06-27
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公开(公告)号: CN116845194A公开(公告)日: 2023-10-03
- 发明人: 刘芝婷 , 梁嘉淇 , 彭峰 , 杨光星 , 张巧 , 蔡建钟
- 申请人: 广州大学
- 申请人地址: 广东省广州市番禺区小谷围街道大学城外环西路230号
- 专利权人: 广州大学
- 当前专利权人: 广州大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市番禺区小谷围街道大学城外环西路230号
- 代理机构: 北京八月瓜知识产权代理有限公司
- 代理商 袁晓雨
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/587 ; H01M4/62 ; H01M10/054 ; C08G61/12
摘要:
本发明涉及复合电极材料技术领域,尤其是涉及一种聚噻吩包覆多孔碳复合材料及其制备方法和应用,包括以下步骤:将EDOT单体加入到聚乙烯醇和对甲苯磺酸一水合物的水溶液中,剧烈搅拌进行分散;将多孔碳浸泡在单体的溶液中,并加入引发剂引发单体聚合,静置反应完成后,充分洗涤并烘干,得到聚噻吩包覆多孔碳复合材料。本发明的聚噻吩为导电聚合物,具有高导电性,可彻底包覆在多孔碳材料的外表面,防止电解质与内孔表面接触,同时利用其导电性允许钠离子扩散到内部,减少了钠离子的损耗,提高了材料的首次库伦效率和容量。本发明的制备方法制备过程简单,原料易得且价格低廉,易于大规模生产。