本发明提供了一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法，所属光通信技术领域，包括：第一二氧化硅层、金属层和第二二氧化硅层；通过在二氧化硅膜内部设置一层金属层，形成复合膜结构，金属层能够很好的释放和缓解二氧化硅膜的压应力，起到缓冲作用，从而能低整个膜系的应力，以减少划裂片工艺因二氧化硅应力过大导致二氧化硅薄膜破损的情况发生，提高产品良率。通过在膜系上刻蚀出第一接触口和第二接触口，使电极层能够与第一二氧化硅层和第二二氧化硅层之间的金属层相连接，使电极层的电势和金属层的电势相同，进而使芯片的寄生电容的两电极间距减小，使得寄生电容增大，以使芯片能承受更大的冲击电压，提升了芯片的耐静电放电能力。