发明公开
CN116896871A 半导体器件及其制造方法
审中-公开
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN202310255337.6申请日： 2023-03-10
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公开(公告)号： CN116896871A公开(公告)日： 2023-10-17
- 发明人: 金志娟 , 金承焕
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理有限公司
- 代理商 王建国; 李琳
- 优先权： 10-2022-0040443 20220331 KR
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00
摘要：
一种用于制造半导体器件的方法包括：在牺牲焊盘之上形成堆叠体；形成牺牲竖向结构，该牺牲竖向结构穿过堆叠体以耦接至牺牲焊盘；对堆叠体进行刻蚀，以形成与牺牲竖向结构间隔开的竖向开口；通过将牺牲焊盘去除来形成牺牲凹陷部，该牺牲凹陷部使牺牲竖向结构的底部暴露；形成刻蚀阻挡内衬层，该刻蚀阻挡内衬层围绕牺牲竖向结构的底部；以及将牺牲竖向结构选择性地去除。
