发明公开
- 专利标题: 一种电容式三轴加速度芯片及其加工方法
-
申请号: CN202310869317.8申请日: 2023-07-17
-
公开(公告)号: CN116908486A公开(公告)日: 2023-10-20
- 发明人: 董自强 , 柳星普 , 张铭昭 , 曹飞 , 高杰
- 申请人: 成都博纳神梭科技发展有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区科园南路1号4栋11-14楼
- 专利权人: 成都博纳神梭科技发展有限公司
- 当前专利权人: 成都博纳神梭科技发展有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区科园南路1号4栋11-14楼
- 代理机构: 河北东尚律师事务所
- 代理商 王文庆
- 主分类号: G01P15/08
- IPC分类号: G01P15/08 ; G01P15/125 ; G01P15/18
摘要:
本发明涉及电容式三轴加速度芯片技术领域,公开一种电容式三轴加速度芯片及其加工方法,其中芯片包括依次叠设的:第一电容组件,包括第一硅极板;第二电容组件,包括四个敏感单元,每个敏感单元均包括可动电容块、支撑电容块、中部电容块及连接弹簧,沿X轴方向正对设置的两个敏感单元内形成能够检测沿X轴方向的加速度的X轴差分电容,沿Y轴方向正对设置的两个敏感单元形成能够检测沿Y轴方向的加速度的Y轴差分电容;第三电容组件,包括第二硅极板,可动电容块与第一硅极板和第二硅极板组成用于检测沿Z轴方向的加速度的Z轴差分电容。本发明公开的芯片具有集成度好、电容值大、灵敏度高、线性度好及使用场景广的特点。
IPC分类: