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发明公开
一种电容式三轴加速度芯片及其加工方法审中-公开

公开(公告)号：CN116908486A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310869317.8

申请日：2023-07-17

申请人： 成都博纳神梭科技发展有限公司

发明人： 董自强 , 柳星普 , 张铭昭 , 曹飞 , 高杰

IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/125 , G01P15/18

摘要： 本发明涉及电容式三轴加速度芯片技术领域，公开一种电容式三轴加速度芯片及其加工方法，其中芯片包括依次叠设的：第一电容组件，包括第一硅极板；第二电容组件，包括四个敏感单元，每个敏感单元均包括可动电容块、支撑电容块、中部电容块及连接弹簧，沿X轴方向正对设置的两个敏感单元内形成能够检测沿X轴方向的加速度的X轴差分电容，沿Y轴方向正对设置的两个敏感单元形成能够检测沿Y轴方向的加速度的Y轴差分电容；第三电容组件，包括第二硅极板，可动电容块与第一硅极板和第二硅极板组成用于检测沿Z轴方向的加速度的Z轴差分电容。本发明公开的芯片具有集成度好、电容值大、灵敏度高、线性度好及使用场景广的特点。