发明公开
- 专利标题: 级联型GaN HEMT封装器件及其制备方法
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申请号: CN202311140342.9申请日: 2023-09-05
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公开(公告)号: CN116913911A公开(公告)日: 2023-10-20
- 发明人: 文豪 , 庞振江 , 洪海敏 , 周芝梅 , 温雷 , 黎杰 , 卜小松 , 廖刚
- 申请人: 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园6号楼C901;
- 专利权人: 深圳智芯微电子科技有限公司,深圳市国电科技通信有限公司
- 当前专利权人: 深圳智芯微电子科技有限公司,深圳市国电科技通信有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园6号楼C901;
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 唐华健
- 主分类号: H01L25/18
- IPC分类号: H01L25/18 ; H01L29/778 ; H01L29/78 ; H01L23/34 ; H01L21/60
摘要:
本发明公开了一种级联型GaN HEMT封装器件及其制备方法,器件包括:框架;倒装设置于框架上的GaN HEMT,其正面包括与框架源极相连的第一栅极、与框架漏极相连的第一漏极,背面包括第一源极;背面与GaN HEMT背面贴合的MOSFET,其背面包括与第一源极接触相连的第二漏极,正面包括与框架栅极相连的第二栅极、与框架源极相连的第二源极。本发明公开的方案,将GaN HEMT倒装于框架上,在GaN HEMT背面设置第一源极,MOSFET背面贴合在GaN HEMT背面,MOSFET背面的第二漏极与GaN HEMT背面的第一源极接触相连,以降低级联型封装器件封装面积和杂散电感,并提高封装器件散热能力。
公开/授权文献
- CN116913911B 级联型GaN HEMT封装器件及其制备方法 公开/授权日:2023-12-22