- 专利标题: 半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法
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申请号: CN202311197723.0申请日: 2023-09-18
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公开(公告)号: CN116936581B公开(公告)日: 2024-02-27
- 发明人: 晏国文 , 徐琳 , 丁力栋 , 王德坚 , 孙晓琦 , 李俊峰
- 申请人: 合肥维信诺科技有限公司 , 昆山国显光电有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市新站区新蚌埠路5555号
- 专利权人: 合肥维信诺科技有限公司,昆山国显光电有限公司
- 当前专利权人: 合肥维信诺科技有限公司,昆山国显光电有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市新站区新蚌埠路5555号
- 代理机构: 成都极刻智慧知识产权代理事务所
- 代理商 陈仕超
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L21/77
摘要:
本申请实施例提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法,涉及显示设备技术领域,所述半导体器件结构包括衬底、绝缘柱、两个第一开关器件。所述绝缘柱位于所述衬底的一侧;在第一方向上,两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧,所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层,所述第一方向平行于所述衬底;其中,两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。本申请可以形成两个第一开关器件,因此在不增加半导体器件结构在衬底上的正投影面积的情况下,可以提高半导体器件结构的输出电流。
公开/授权文献
- CN116936581A 半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法 公开/授权日:2023-10-24
IPC分类: