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公开(公告)号:CN116936581A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202311197723.0
申请日:2023-09-18
申请人: 合肥维信诺科技有限公司 , 昆山国显光电有限公司
摘要: 本申请实施例提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法,涉及显示设备技术领域,所述半导体器件结构包括衬底、绝缘柱、两个第一开关器件。所述绝缘柱位于所述衬底的一侧;在第一方向上,两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧,所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层,所述第一方向平行于所述衬底;其中,两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。本申请可以形成两个第一开关器件,因此在不增加半导体器件结构在衬底上的正投影面积的情况下,可以提高半导体器件结构的输出电流。
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公开(公告)号:CN116936581B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202311197723.0
申请日:2023-09-18
申请人: 合肥维信诺科技有限公司 , 昆山国显光电有限公司
摘要: 本申请实施例提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法,涉及显示设备技术领域,所述半导体器件结构包括衬底、绝缘柱、两个第一开关器件。所述绝缘柱位于所述衬底的一侧;在第一方向上,两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧,所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层,所述第一方向平行于所述衬底;其中,两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。本申请可以形成两个第一开关器件,因此在不增加半导体器件结构在衬底上的正投影面积的情况下,可以提高半导体器件结构的输出电流。
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公开(公告)号:CN118658889A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202311203393.1
申请日:2023-09-18
申请人: 合肥维信诺科技有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , H10K59/12
摘要: 本申请实施例提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及显示面板,涉及显示技术领域。在薄膜晶体管中,第一电极、半导体层和第二电极在垂直基底或者近似垂直基底的方向分布,位于第一电极和第二电极之间的半导体层形成沟道,即沟道在垂直基底或者近似垂直基底的方向分布,相对于沟道在平面上分布的方式,在确保晶体管的驱动能力的前提下,本实施例提供的薄膜晶体管在平面上所占面积更小,有利于显示面板像素密度的进一步提升。
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公开(公告)号:CN112992070B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202110211685.4
申请日:2021-02-25
申请人: 合肥维信诺科技有限公司
IPC分类号: G09G3/3225
摘要: 本申请公开了一种像素电路及其驱动方法、显示面板及显示装置。像素电路包括:驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、发光控制模块、发光模块、第二复位模块及存储模块;其中,数据写入模块用于向驱动模块写入数据电压;驱动模块用于产生驱动电流;发光控制模块用于将驱动模块产生的驱动电流传输至发光模块;第一复位模块用于对驱动模块的控制端进行复位;阈值补偿模块用于对写入驱动模块的数据电压进行阈值补偿;第二复位模块用于对发光模块的阳极进行复位;存储模块用于存储写入驱动模块的数据电压。根据本申请实施例,能够有效的复位驱动模块的控制端,提高显示均匀性。
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公开(公告)号:CN112992070A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110211685.4
申请日:2021-02-25
申请人: 合肥维信诺科技有限公司
IPC分类号: G09G3/3225
摘要: 本申请公开了一种像素电路及其驱动方法、显示面板及显示装置。像素电路包括:驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、发光控制模块、发光模块、第二复位模块及存储模块;其中,数据写入模块用于向驱动模块写入数据电压;驱动模块用于产生驱动电流;发光控制模块用于将驱动模块产生的驱动电流传输至发光模块;第一复位模块用于对驱动模块的控制端进行复位;阈值补偿模块用于对写入驱动模块的数据电压进行阈值补偿;第二复位模块用于对发光模块的阳极进行复位;存储模块用于存储写入驱动模块的数据电压。根据本申请实施例,能够有效的复位驱动模块的控制端,提高显示均匀性。
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公开(公告)号:CN118630020A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410873264.1
申请日:2024-06-28
申请人: 合肥维信诺科技有限公司 , 云谷(固安)科技有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要: 本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板,阵列基板包括衬底、第一绝缘层、平坦化层、半导体层、源极层和漏极层,第一绝缘层设于衬底的一侧,平坦化层、半导体层、源极层和漏极层均设于第一绝缘层远离衬底的一侧,源极层和漏极层通过半导体层电连接,半导体层包括第一半导体子层,第一半导体子层至少包括结晶半导体材料,至少部分第一半导体子层叠设于平坦化层背离衬底的一侧,使得至少部分第一半导体子层可以生长在平坦化层的平坦表面上,以提高第一半导体子层的结晶效果,增大半导体层的迁移率,减小源极层和漏极层之间的导通电阻,增大源极层和漏极层之间的导通电流,提升薄膜晶体管的性能以及显示面板的显示效果。
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公开(公告)号:CN118676211A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202311117602.0
申请日:2023-08-31
申请人: 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K59/121
摘要: 本申请公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管制备方法及显示面板,薄膜晶体管包括:衬底;第一绝缘层,设于衬底一侧,第一绝缘层包括第一本体部以及多个第一凸出部,各第一凸出部相对于第一本体部向远离衬底的方向凸出设置;有源层,设于第一绝缘层背离衬底一侧,有源层具有对应第一凸起部凸起的第二凸起部以及连接相邻第二凸起部的连接部。利用第二凸起部和连接部之间的高度差,增加部分沿薄膜晶体管厚度方向延伸的有源层,进而增加有源层的整体宽度,在不增大薄膜晶体管整体尺寸的同时,可以对应增大薄膜晶体管的导通电流,改善薄膜晶体管的性能,便于应用于高分辨率的显示面板中。
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公开(公告)号:CN108375608A
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201810200724.9
申请日:2018-03-12
申请人: 昆山国显光电有限公司
发明人: 丁力栋
IPC分类号: G01N27/22
摘要: 本发明涉及一种基板检测装置。基板检测装置包括检测设备、探测设备和控制设备,检测设备与基板正对,检测设备用于检测基板;探测设备用于探测检测设备与基板的距离,并输出距离值;控制设备根据距离值调节检测设备与基板之间的距离。上述基板检测装置,探测设备能够探测检测设备与基板之间的距离,并输出距离值。控制设备可以根据该距离值,相应调节检测设备与基板之间的距离。当探测设备探测到的检测设备与基板之间的距离值小于安全值时,控制设备将检测设备与基板之间的距离值调节为大于或等于安全值。这样,可以避免检测设备与基板之间的碰撞,从而避免检测设备或基板的损坏。
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公开(公告)号:CN115588696A
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202211205487.8
申请日:2022-09-29
申请人: 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L27/12
摘要: 本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制备方法。薄膜晶体管包括衬底和有源层,有源层设置在衬底上,有源层包括源极接触区、漏极接触区和沟道区;源极接触区和漏极接触区的厚度大于沟道区的厚度,源极接触区导体化深度小于或等于源极接触区与沟道区的厚度差;漏极接触区导体化深度小于或等于源极接触区与沟道区的厚度差。本申请通过对源极接触区和漏极接触区的厚度大于沟道区的厚度,以及对导体化深度的限制,能够使沟道区相对独立,进而降低源极接触区和漏极接触区中离子横向扩散对沟道区的影响。
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