本发明公开了一种硅异质结太阳能电池铜金属化的方法，涉及晶硅太阳能电池及半导体制造技术领域，包括S1、将图形化硅异质结太阳能电池进行镀前处理；S2、通过化学镀铜方法在图形化硅异质结太阳能电池的透明导电薄膜上进行化学镀铜工艺制备种子层；S3、然后再将图形化硅异质结太阳能电池进行铜电镀工艺处理，得到金属铜电极。本发明设计合理，提供的先化学镀铜再电镀铜的硅异质结太阳能电池金属化方法，可控制铜栅线宽度小于30μm，真正实现硅异质结太阳能电池的降本增效。