发明公开
- 专利标题: 一种多电源域全芯片ESD保护架构
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申请号: CN202310498133.5申请日: 2023-05-05
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公开(公告)号: CN116937521A公开(公告)日: 2023-10-24
- 发明人: 王小明 , 乐立鹏 , 方新嘉 , 庞敏 , 王伊卜
- 申请人: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路二号;
- 专利权人: 北京微电子技术研究所,北京时代民芯科技有限公司
- 当前专利权人: 北京微电子技术研究所,北京时代民芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路二号;
- 代理机构: 北京市恒有知识产权代理事务所
- 代理商 郭文浩; 尹文会
- 主分类号: H02H9/04
- IPC分类号: H02H9/04 ; H01L27/02 ; H02H7/20
摘要:
本发明属于芯片架构领域,具体涉及了一种多电源域全芯片ESD保护架构,旨在解决现有技术未从全芯片的全方位保护着手,芯片的抗ESD能力尚达不到预期的问题。本发明包括:分别设置于芯片输入输出端口区和芯片核心区的多个ESD电源钳位电路,用于形成ESD电流的低阻抗泄放通路,钳位电源总线电压低于设定值;分别设置于多电源域全芯片的各电源域之间轨间电路,用于形成不同电源域之间的ESD电流的低阻抗泄放通路;分别设置于芯片输入输出端口环与芯片核心区的设定位置的多组ESD防护电路构成的ESD电源网络,用于消除电源线、地线寄生电容及电阻对ESD的负面影响。本发明提高了整个芯片的抗ESD能力,达到了对整个芯片提供全方位保护的目的。