发明公开
- 专利标题： 光子集成电路芯片及其制造方法
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申请号： CN202210433905.2申请日： 2022-04-24
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公开(公告)号： CN116990907A公开(公告)日： 2023-11-03
- 发明人: 达迪·塞蒂亚迪 , 彭博 , 苏湛 , 吴建华 , 孟怀宇 , 沈亦晨
- 申请人： 上海曦智科技有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区松涛路696号3幢401室、402室
- 专利权人： 上海曦智科技有限公司
- 当前专利权人： 上海曦智科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区松涛路696号3幢401室、402室
- 代理机构： 北京三环同创知识产权代理有限公司
- 代理商 赵勇; 邵毓琴
- 主分类号： G02B6/13
- IPC分类号： G02B6/13 ; G02B6/122 ; G02B6/30
摘要：
本发明涉及半导体领域，其提供了一种光子集成电路芯片及其制造方法，所述方法包括：提供光子集成结构；提供第一衬底，所述第一衬底包括凹槽；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合；去除所述光子集成结构的一部分，以形成光耦合端，所光耦合端使得光能够从光子集成电路的侧面耦合进入光子集成电路芯片；其中，所述光子集成结构的所述光耦合端所在的侧面与所述第一衬底的所述凹槽对应。其能够优化光子集成电路芯片的制造工艺以及光耦合方式。