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公开(公告)号：CN118732150A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310316544.8
申请日：2023-03-28
申请人： 上海曦智科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，其提供了一种采用光互连的半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：光子晶圆，所述光子晶圆上设置有多个光子集成电路芯片；光中介层，其上设置所述光子晶圆；多个模拟电芯片，每一个光子集成电路芯片连接至少一个模拟电芯片；多个数字电芯片，每一个数字电芯片与相应的模拟电芯片电连接；其中，在光中介层上，位于第一方向上的光子集成电路芯片通过各光子集成电路芯片的第一波导光学连接，位于第二方向上的光子集成电路芯片通过光中介层的第二波导光学连接。采用本发明的结构，光电计算系统可集成更多的计算单元和存储单元，利用光互连能保证它们之间有机的信息互连，提供更高的系统能效比。
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公开(公告)号：CN116263518A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111516863.0
申请日：2021-12-13
申请人： 上海曦智科技有限公司
摘要： 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种波导结构的制造方法，包括：形成第一材料层；基于所述第一材料层形成第一波导、第二波导，所述第一波导与所述第二波导具有间隔；形成第二材料层；基于所述第二材料层形成波导耦合结构，所述波导耦合结构分别与第一波导、第二波导光学耦合，以使得第一波导与第二波导实现光连接。可以使得波导连接范围不仅局限于一次曝光所限定的区域，将不同曝光区域的波导实现互连，减少波导互连时对准的精度要求，还能够有效避免波导连接时的接合缺陷。
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公开(公告)号：CN114063229B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111162695.X
申请日：2021-09-30
申请人： 上海曦智科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种半导体装置。在一些实施方式中，所述半导体装置包括：PIC芯片，其包括孔中导电结构；第一电子集成电路芯片即第一EIC芯片，所述第一EIC芯片设置在所述PIC芯片的第一表面；第二电子集成电路芯片即第二EIC芯片，所述第二EIC芯片设置在所述PIC芯片的第二表面；其中，所述第一EIC芯片通过所述PIC芯片的所述孔中导电结构电连接至所述第二EIC芯片本发明的半导体装置优化了PIC芯片的布线并能够抑制因布线过长导致的电压压降，优化了封装结构。
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公开(公告)号：CN113985533A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111211397.5
申请日：2021-10-18
申请人： 上海曦智科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/12 , H01S5/0225 , H01S5/02253 , H01S5/02255
摘要： 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种光子半导体装置及其制造方法。在一些实施方式中，所述光子半导体装置的制造方法包括：提供光子集成电路(PIC)芯片；准备光学元件组件，所述光学元件组件包括多个光学元件，所述多个光学元件包括第一光学元件以及第二光学元件；将所述光学元件组件作为独立封装体整体安装在所述PIC芯片上。本发明将光学元件先集成封装为独立封装体，从而能够通过一次安装将该独立封装体整体安装于PIC芯片上，进而避免了现有技术多次安装导致的不良后果。
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公开(公告)号：CN116990907A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210433905.2
申请日：2022-04-24
申请人： 上海曦智科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体领域，其提供了一种光子集成电路芯片及其制造方法，所述方法包括：提供光子集成结构；提供第一衬底，所述第一衬底包括凹槽；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合；去除所述光子集成结构的一部分，以形成光耦合端，所光耦合端使得光能够从光子集成电路的侧面耦合进入光子集成电路芯片；其中，所述光子集成结构的所述光耦合端所在的侧面与所述第一衬底的所述凹槽对应。其能够优化光子集成电路芯片的制造工艺以及光耦合方式。
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公开(公告)号：CN116699769A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210189637.4
申请日：2022-02-28
申请人： 上海曦智科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，方法包括：提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：第一开孔，以及设置于所述第一开孔中的导电材料；提供第一衬底，所述第一衬底包括：第二开孔，以及设置于所述第二开孔中的导电材料；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，以使得所述第一开孔与所述第二开孔对准，并且所述第一开孔中的所述导电材料与对应的所述第二开孔中的所述导电材料电性连接。本发明还提供了一种光子集成电路芯片。
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公开(公告)号：CN113514923B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110744573.5
申请日：2021-07-01
申请人： 上海曦智科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明提供了一种封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：第一基板，其具有承载面；电子集成电路，其设置于所述承载面上；光子集成电路，其具有第一表面和第二表面，所述光子集成电路的第一表面朝向所述第一基板，所述光子集成电路设置于所述电子集成电路远离所述第一基板的一侧；其中，所述电子集成电路上设置有通孔；所述通孔内设置有连接体；并且所述连接体用于将所述光子集成电路与所述第一基板电性连接。本发明提供了一种封装结构及其封装方法，其能降低电压压降、且为光学元件和电学元件的布置及其电性连接布置方式提供更丰富的封装方式，进而使得封装结构更加灵活、体积更小。
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公开(公告)号：CN113514923A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110744573.5
申请日：2021-07-01
申请人： 上海曦智科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明提供了一种封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：第一基板，其具有承载面；电子集成电路，其设置于所述承载面上；光子集成电路，其具有第一表面和第二表面，所述光子集成电路的第一表面朝向所述第一基板，所述光子集成电路设置于所述电子集成电路远离所述第一基板的一侧；其中，所述电子集成电路上设置有通孔；所述通孔内设置有连接体；并且所述连接体用于将所述光子集成电路与所述第一基板电性连接。本发明提供了一种封装结构及其封装方法，其能降低电压压降、且为光学元件和电学元件的布置及其电性连接布置方式提供更丰富的封装方式，进而使得封装结构更加灵活、体积更小。
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公开(公告)号：CN116299902B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310190041.0
申请日：2021-07-01
申请人： 上海曦智科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明提供了一种封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：第一基板，其具有承载面；电子集成电路，其设置于所述承载面上；光子集成电路，其具有第一表面和第二表面，所述光子集成电路的第一表面朝向所述第一基板，所述光子集成电路设置于所述电子集成电路远离所述第一基板的一侧；其中，所述电子集成电路上设置有通孔；所述通孔内设置有连接体；并且所述连接体用于将所述光子集成电路与所述第一基板电性连接。本发明提供了一种封装结构及其封装方法，其能降低电压压降、且为光学元件和电学元件的布置及其电性连接布置方式提供更丰富的封装方式，进而使得封装结构更加灵活、体积更小。
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公开(公告)号：CN114063229A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111162695.X
申请日：2021-09-30
申请人： 上海曦智科技有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种半导体装置。在一些实施方式中，所述半导体装置包括：PIC芯片，其包括孔中导电结构；第一电子集成电路芯片即第一EIC芯片，所述第一EIC芯片设置在所述PIC芯片的第一表面；第二电子集成电路芯片即第二EIC芯片，所述第二EIC芯片设置在所述PIC芯片的第二表面；其中，所述第一EIC芯片通过所述PIC芯片的所述孔中导电结构电连接至所述第二EIC芯片本发明的半导体装置优化了PIC芯片的布线并能够抑制因布线过长导致的电压压降，优化了封装结构。
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