本发明公开了一种电压钳位型碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，包括：漏极金属电极、源极金属电极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型引流区、第二导电类型引流区、第二导电类型阱区、第二导电类型沟道区、特征沟槽、第一导电类型结型区、第二导电类型源区、介质层，位于特征沟槽侧壁、第二导电类型沟道区侧面的栅介质层；位于特征沟槽侧壁、栅介质层侧面且横跨第一导电类型引流区、第二导电类型沟道区和第一导电类型源区的栅极；本发明可提升沟槽型SiC MOSFET器件栅介质使用可靠性，降低导通电阻。