本发明提供一种双沟道垂直超结GaN HEMT及制备方法，该GaN HEMT包括：P‑GaN层、UID GaN层、多个AlGaN层和多个GaN层、沟槽和栅极；所述UID GaN层位于衬底上方并与N pillar邻接；所述P‑GaN层位于所述UID GaN层上方并与所述Npillar邻接；所述第一GaN层位于所述P‑GaN层上方；所述第一AlGaN层位于所述GaN层上方；所述第二GaN层位于所述第一AlGaN层上方；所述第二AlGaN层位于所述第二GaN层上方；在所述多个AlGaN层和所述多个GaN层中间蚀刻所述沟槽；在所述沟槽中沉积所述栅极金属和层间介质。本发明利用P‑GaN层代替传统的场截止层，避免了高浓度P柱的制作的同时也能够达到传统P柱能够提高GaN HEMT耐压的性能，节约了生产成本。