发明公开
- 专利标题: 一种快速响应的低压差LDO电路
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申请号: CN202311094232.3申请日: 2023-08-28
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公开(公告)号: CN117032370A公开(公告)日: 2023-11-10
- 发明人: 张浩 , 赵超 , 殷允金 , 邹舜杰
- 申请人: 南京美辰微电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市江北新区研创园华创路73号高新总部大厦A幢5-6楼
- 专利权人: 南京美辰微电子有限公司
- 当前专利权人: 南京美辰微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江北新区研创园华创路73号高新总部大厦A幢5-6楼
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 田凌涛
- 主分类号: G05F1/56
- IPC分类号: G05F1/56
摘要:
本发明公开了一种快速响应的低压差LDO电路,包括偏置产生电路、电容耦合电路、推挽输出电路。偏置产生电路接收参考电压Vref,输出控制电压Vctrl、偏置电压VBIAS1、以及偏置电压VBIAS2至推挽输出电路,推挽输出电路输出电压Vout至电容耦合电路,电容耦合电路接收电压Vout后,将该电压进行耦合再输出至推挽输出电路。该结构充分利用了推挽输出结构栅电压共同降低的特性,大幅度提升了抽拉电流的能力。通过增加NMOS反馈环路和PMOS反馈环路,对负载电流突然增大或减小时,都可以做出迅速响应,同时提升了低频时的电源噪声抑制比。此外采用了电容耦合路径,弥补PMOS反馈环路响应速度比NMOS反馈环路慢的问题,提高了负载电流突然增大时的瞬态响应速度。
IPC分类: