发明公开
- 专利标题: 一种MXene薄膜的制备方法、产品及应用
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申请号: CN202311103180.1申请日: 2023-08-30
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公开(公告)号: CN117038354A公开(公告)日: 2023-11-10
- 发明人: 刘勇 , 刘旭东 , 何思锐 , 侯仕达 , 董尚利 , 张成鑫 , 吕钢
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 北京盛询知识产权代理有限公司
- 代理商 李从
- 主分类号: H01G11/86
- IPC分类号: H01G11/86 ; H01G11/30 ; C01B32/921 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉及电极材料技术领域,特别是涉及一种MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明方法包括以下步骤:将Ti3C2Tx的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀,之后离心,清洗所得固体得到Ti3C2Tx沉淀;将所述Ti3C2Tx沉淀加入到去离子水中超声处理,得到含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液;将所述含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液进行一次氧化,之后加入氢氟酸进行刻蚀,得到一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液;将所述一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液进行二次氧化,之后加入氢氟酸进行刻蚀,抽滤,得到所述MXene薄膜。本发明方法简单,所制备的MXene薄膜具有高的比电容。