公开(公告)号：CN117038354A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311103180.1

申请日：2023-08-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 刘勇 ,  刘旭东 ,  何思锐 ,  侯仕达 ,  董尚利 ,  张成鑫 ,  吕钢

IPC分类号： H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  C01B32/921 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及电极材料技术领域，特别是涉及一种MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明方法包括以下步骤：将Ti3C2Tx的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀，之后离心，清洗所得固体得到Ti3C2Tx沉淀；将所述Ti3C2Tx沉淀加入到去离子水中超声处理，得到含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液；将所述含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液进行一次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，得到一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液；将所述一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液进行二次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，抽滤，得到所述MXene薄膜。本发明方法简单，所制备的MXene薄膜具有高的比电容。