本发明公开了一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，涉及镀锡工艺技术领域，包括如下步骤：步骤S1、采用软胶剂进行浸泡软胶，步骤S2、预处理，步骤S3、预浸、电镀锡，步骤S4、后处理。所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂30‑60份、润湿剂5‑10份、渗透剂8‑12份、表面活性剂3‑5份、3‑三羟甲基甲胺‑2‑羟基丙磺酸5‑8份、茶多酚壳聚糖纳米粒1‑3份。该工艺方法镀锡除胶效果好，形成的镀锡层与IC引线框架结合力强、可焊性和表面质量佳。