发明公开
- 专利标题: 一种基于混合铜厚绕组结构的反激平面变压器设计方法
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申请号: CN202310922785.7申请日: 2023-07-26
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公开(公告)号: CN117057297A公开(公告)日: 2023-11-14
- 发明人: 姚凯 , 李飞 , 毛瑞鑫 , 薛磊 , 张晨阳 , 于海鹏 , 夏邦辉
- 申请人: 南京理工大学
- 申请人地址: 江苏省南京市玄武区孝陵卫街道孝陵卫街200号
- 专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市玄武区孝陵卫街道孝陵卫街200号
- 代理机构: 北京和信华成知识产权代理事务所
- 代理商 张菊萍
- 主分类号: G06F30/39
- IPC分类号: G06F30/39 ; H01F27/28 ; G06F115/12
摘要:
本发明公开了一种基于混合铜厚绕组结构的反激平面变压器设计方法,包含基于传统单层铜箔绕组的损耗分析,在每层多匝绕组情况下引入铜层系数η,对每层单匝损耗分析模型进行修正,通过对单层铜箔厚度对于铜箔损耗以及反激平面变压器中磁场分布的影响分析,将处于磁场强度较大处的绕组选用薄铜箔可在直流电阻略微增加基础上有效减小交流电阻,将处于磁场强度小处的绕组选用厚铜箔可有效减小直流电阻与交流电阻。本发明通过对反激平面变压器绕组的层叠结构进行优化设计,减小了绕组交流电阻,同时进行混合铜厚设计可同时减小直流电阻与交流电阻,有效减小绕组损耗,提升变换器的效率。