发明公开
- 专利标题： 一种SiC半导体器件的刻蚀方法
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申请号： CN202211687933.3申请日： 2022-12-27
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公开(公告)号： CN117096014A公开(公告)日： 2023-11-21
- 发明人: 魏晓光 , 周行 , 李玲 , 朱涛 , 吴沛飞 , 葛欢 , 白雪 , 孙俊敏 , 严静融 , 李嘉琳 , 武婧敏 , 金锐 , 杨霏
- 申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人： 北京智慧能源研究院,国家电网有限公司,国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人： 北京智慧能源研究院,国家电网有限公司,国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构： 北京君有知识产权代理事务所
- 代理商 焦丽雅
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/02 ; H01L21/04 ; H01L21/311
摘要：
一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。
IPC分类:
