发明公开
- 专利标题: 单模掩埋半导体激光器及其制备方法
-
申请号: CN202311140731.1申请日: 2023-09-05
-
公开(公告)号: CN117134196A公开(公告)日: 2023-11-28
- 发明人: 吕晨 , 于红艳 , 周旭亮 , 王梦琦 , 王鹏飞 , 罗光振 , 潘教青
- 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李鹏宇
- 主分类号: H01S5/343
- IPC分类号: H01S5/343 ; H01S5/10
摘要:
本公开提供了一种单模掩埋半导体激光器及其制备方法,可以用于光电子器件领域。该单模掩埋半导体激光器包括:N型电极,设置于单模掩埋半导体激光器的底板上;外延结构层,设置于N型电极上;宽台面结构层,设置于所外延结构层上;以及P型电极,设置于宽台面结构层上;其中,沿激光器结构层生长方向,宽台面结构层包括下波导层、多量子阱层和上波导层,台面两侧由掩埋层包覆;其中,下波导层厚度大于上波导层厚度,以便下拉和扩大近场光斑;其中,外延结构层包括稀释波导层,稀释波导层用于对激发光进行选模,以便单模掩埋半导体激光器生成只包括基模的激光。