公开(公告)号：CN114742219A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210369462.5

申请日：2022-04-08

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 吕晨 ,  王瑞廷 ,  王鹏飞 ,  罗光振 ,  张冶金 ,  周旭亮 ,  潘教青

IPC分类号： G06N3/067 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本公开提供了一种神经网络计算方法及光子神经网络芯片架构，可以应用于人工智能技术领域、计算机芯片技术领域。通过电子逻辑芯片，接收与神经网络中的每一个计算层对应的计算任务，将计算任务划分为P个子计算任务，其中，P为正整数；通过电子逻辑芯片向Q个光子神经网络核心发送P个子计算任务，其中，Q为正整数，光子神经网络核心通过至少一种精度进行计算；通过Q个光子神经网络核心对每个子计算任务计算得到对应的子计算结果；基于每个子计算结果，通过电子逻辑芯片确定计算层的计算结果；根据神经网络中每一个计算层的计算结果，确定神经网络的输出结果。

公开(公告)号：CN111564758A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010465149.2

申请日：2020-05-27

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 杨正霞 ,  吕晨 ,  李亚节 ,  杨文宇 ,  周旭亮 ,  潘教青

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/343

摘要： 一种硅基激光器，包括：含有V形底部沟槽的SOI图形衬底；外延结构，依次为N型位错限制层、N型缓冲层、N型下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、P型上包层、隧道结、N型上包层和N型接触层。本发明使用隧道结的隧穿效应，N型掺杂区域-隧道结-P型掺杂区域代替P型掺杂区域，在满足激光器工作电流稳定，粒子数反转的前提下，缩小了P型掺杂区域的体积，可有效降低光场与P型掺杂区域的重叠，减小激光器内部损耗，优化激光器激射性能，进一步推动硅基激光器电泵激射的实现。

公开(公告)号：CN117134196A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311140731.1

申请日：2023-09-05

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 吕晨 ,  于红艳 ,  周旭亮 ,  王梦琦 ,  王鹏飞 ,  罗光振 ,  潘教青

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/10

摘要： 本公开提供了一种单模掩埋半导体激光器及其制备方法，可以用于光电子器件领域。该单模掩埋半导体激光器包括：N型电极，设置于单模掩埋半导体激光器的底板上；外延结构层，设置于N型电极上；宽台面结构层，设置于所外延结构层上；以及P型电极，设置于宽台面结构层上；其中，沿激光器结构层生长方向，宽台面结构层包括下波导层、多量子阱层和上波导层，台面两侧由掩埋层包覆；其中，下波导层厚度大于上波导层厚度，以便下拉和扩大近场光斑；其中，外延结构层包括稀释波导层，稀释波导层用于对激发光进行选模，以便单模掩埋半导体激光器生成只包括基模的激光。