本公开提供了用于在半导体结构中埋入导体线的方法以及通过使用该方法形成的具有埋入导体线的半导体结构。根据本公开的方法包括：在衬底上依次设置阱区、牺牲层、有源层和掩模层；对掩模层进行构图和刻蚀以形成硬掩模阻挡部，并且在硬掩模阻挡部的两侧形成侧墙；使用硬掩模阻挡部和侧墙自对准刻蚀有源层、牺牲层和阱区以形成延伸至衬底中的第一槽；使用第一隔离介质填充第一槽；去除硬掩模阻挡部，并且使用侧墙自对准刻蚀有源层以形成使牺牲层暴露的第二槽；通过第二槽去除牺牲层以通过第二槽在有源层下方埋入导体线，第二槽延伸至衬底；以及使用第二隔离介质填充第二槽。