- 专利标题: 一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法
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申请号: CN202311122825.6申请日: 2023-08-30
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公开(公告)号: CN117169792A公开(公告)日: 2023-12-05
- 发明人: 项飞荻 , 刘文中 , 董雨龙 , 崔鑫超
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 王颖翀
- 主分类号: G01R33/12
- IPC分类号: G01R33/12 ; A61B5/0515
摘要:
本发明公开了一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法,属于磁纳米粒子成像领域,该方法包括:S1,对放置在目标区域的磁纳米粒子样品施加激励磁场使其磁化;S2,对磁化后的样品进行激光扫描;其中,所述激光的入射方向与所述激励磁场的方向平行;S3,根据各扫描点处出射激光、入射激光的电场分布与浓度、温度的关系式进行非线性拟合,得到各扫描点处的温度或浓度成像信息。该方法的成像分辨率取决于扫描的最小步长以及激光光斑尺寸,这两者都容易限制在100μm以下,因此相较于现有的MPI技术,本发明提供的方法能够提高成像分辨率。
公开/授权文献
- CN117169792B 一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法 公开/授权日:2024-05-14