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公开(公告)号：CN118641462A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410860135.9
申请日：2024-06-28
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G01N15/1434 , G01N15/1031 , G01N23/046
摘要： 本发明公开了一种基于磁定向浊度的磁纳米粒子成像方法及装置，属于成像技术领域。该方法包括：将磁纳米粒子注入成像视野区域中的待测样品；对待测样品进行光扫描，获取随机状态下的待测样品中磁纳米粒子的浊度A0；对成像视野区域施加激励磁场，磁纳米粒子沿着磁场定向排列，得到磁定向状态下的待测样品；计算两个状态下待测样品的浊度的差值ΔA，并计算得到待测样品中磁纳米粒子的浓度C；根据磁纳米粒子的浓度分布数据，得到磁纳米粒子的二维空间分布成像。该方法的成像方式实现原理简单，在不同光波段下均可实现，在成像的空间分辨率上不存在瓶颈限制；实现低成本、高分辨的无损成像，并且扩展了成像方法的适用场景。
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公开(公告)号：CN115326716A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211019708.2
申请日：2022-08-24
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G01N21/21 , G01N33/543
摘要： 本发明公开了一种免疫检测方法和系统，属于纳米材料测试领域。方法包括：使入射光在交流磁场激励下的功能性磁纳米粒子免疫检定试剂中进行多次反射；将多次反射后的出射光转化为电压信号，并提取免疫检定试剂对应的磁光信号；将免疫检定试剂与待测溶液混合，使入射光在交流磁场激励下的混合溶液中进行多次反射；将多次反射后的出射光转化为电压信号，并提取混合溶液对应的磁光信号；当免疫检定试剂对应的磁光信号与混合溶液对应的磁光信号的差异程度超过预设的阈值时，判定待测溶液中含有目标待测分子。本发明能提高待测分子的检测浓度下限，提高免疫检测的精度和灵敏度；具有免洗的便利性，较现有磁光免疫检测方法操作简单。
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公开(公告)号：CN115219433B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210665384.3
申请日：2022-06-13
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01N21/21
摘要： 本发明公开了一种磁光效应的磁性颗粒成像方法，属于磁光成像领域。方法包括，对分布有磁纳米粒子的待测生物组织施加磁场，并使用偏振光沿与所述磁场同轴的方向照射待测生物组织；检测偏振光在待测生物组织不同部位的偏转角相关量；通过偏转角相关量解算待测生物组织不同部位的磁纳米粒子浓度。相比现有MPI成像方法使用感应线圈检测粒子磁化信号，本发明方法使用磁光效应进行检测的结果与光路附近的磁性颗粒浓度有关，光路有效面积远小于感应线圈感应范围，成像分辨率更高；同时感应线圈本身金属材质容易产生电磁干扰，结构参数复杂，响应动态范围小，本发明基于磁光效应的成像方式以光学检测的方式克服上述感应线圈缺点，检测的粒子浓度下限更低。
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公开(公告)号：CN118319344A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410759779.9
申请日：2024-06-13
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种磁纳米粒子X射线CT造影断层成像方法、装置及系统，属于磁纳米粒子成像领域，方法包括：使含有磁纳米粒子为造影剂的目标对象相对于X射线（存在与其轴线相平行的周期变化的激励磁场）旋转一周，记录每个角度下目标对象的多张连续的透射投影图像；对每个角度下的多张透射投影图像，进行图像后处理操作后，对所有角度下的磁纳米粒子造影成像投影图进行反投影变换，得到断层成像结果；图像后处理操作包括：时频变换：将三维时域矩阵的第三个维度转换到频域，得到三维频域矩阵；特征提取：沿三维频域图像矩阵的第三个维度选取频率为kf的二维矩阵；k为正整数；f为激励磁场的频率。本发明能够有效提高X射线断层成像对比度。
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公开(公告)号：CN117169792A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311122825.6
申请日：2023-08-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01R33/12 , A61B5/0515
摘要： 本发明公开了一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法，属于磁纳米粒子成像领域，该方法包括：S1，对放置在目标区域的磁纳米粒子样品施加激励磁场使其磁化；S2，对磁化后的样品进行激光扫描；其中，所述激光的入射方向与所述激励磁场的方向平行；S3，根据各扫描点处出射激光、入射激光的电场分布与浓度、温度的关系式进行非线性拟合，得到各扫描点处的温度或浓度成像信息。该方法的成像分辨率取决于扫描的最小步长以及激光光斑尺寸，这两者都容易限制在100μm以下，因此相较于现有的MPI技术，本发明提供的方法能够提高成像分辨率。
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公开(公告)号：CN117158941A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311097036.1
申请日：2023-08-29
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： A61B5/0515 , A61B6/03 , A61B6/00 , G06T11/00 , G06T17/00
摘要： 本发明公开了一种基于磁性纳米颗粒造影的成像方法及系统，属于成像技术领域，包括：(S1)对分布有磁性纳米颗粒的目标对象施加正弦激励的交变磁场H(t)＝H0cos(ωt)；(S2)利用X射线照射施加了交变磁场的目标对象后，探测各位置的透射光强；(S3)对于各位置(x,y)处的透射光强I'x,y(t)，提取其目标次谐波的幅值Ax,y后，按照Cx,y＝k·Ax,y计算该位置处的磁纳米粒子浓度，由各位置处的磁纳米粒子浓度构成成像结果；其中，H0和ω分别表示交变磁场的幅值和频率，k为预先标定的比例系数。本发明在保证成像的分辨率和准确度的同时，有效缩短成像时间，使其可应用于三维成像。
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公开(公告)号：CN115541047A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211271055.7
申请日：2022-10-17
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01K7/36
摘要： 本发明公开了一种基于磁纳米粒子法拉第磁光效应的温度测量方法和装置，属于纳米材料测试技术领域。方法包括，将磁纳米粒子样品放置在目标区域，通过外加直流激励磁场使得磁纳米粒子产生磁化响应；采用偏振光与磁场同轴方向照射磁纳米粒子，与样品发生法拉第磁光效应；将未添加磁纳米粒子的样品作为对照组，对其施加与外加直流激励磁场幅值相等、方向相反的激励磁场，并对出射光进行检测；根据检测得到的出射光计算磁纳米粒子产生的法拉第旋转角；将磁纳米粒子产生的法拉第旋转角与外加直流激励磁场利用郎之万函数进行非线性拟合，得到目标区域磁纳米粒子的温度。本发明可以实现远程且非侵入式的体内温度测量。
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公开(公告)号：CN115349844A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210829005.X
申请日：2022-07-14
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： A61B5/0515 , G01R33/12
摘要： 本发明公开了一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法及装置，属于纳米材料测试技术领域。通过激光照射待检测目标区域，计算磁纳米粒子的第一透射光强，在外加磁场的作用下，利用磁纳米粒子的磁响应特性使得透过磁纳米粒子的光的透过率发生变化，通过计算变化后的第二透射光强，得到磁纳米粒子的磁光透射率，基于该磁光透射率与磁纳米粒子浓度及温度的关系，可以得到待检测目标区域内的磁纳米粒子的浓度及温度，进而实现对目标区域内磁纳米粒子成像。本发明结合了光学成像的高时空分辨优势，又能够实现在微量造影剂时对组织特异性的功能成像，成像方式简单且成像效果好。
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公开(公告)号：CN114166365A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111394856.8
申请日：2021-11-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01K7/36
摘要： 本发明公开了一种基于磁纳米粒子磁化响应的线粒体温度测量方法及系统，属于纳米尺寸目标的温度测量领域，包括：(S1)将具有靶向到线粒体的磁纳米粒子作为探针，对细胞内的线粒体进行标记，得到待测样品；(S2)将待测样品放置于温度恒定且施加有交流磁场的待测区域中，并刺激线粒体使其工作；交流磁场由频率为f1和f2的磁场混合而成，f1≠f2；(S3)检测待测样品的交流磁化响应，并进行频谱分析，以提取各特征频率处的交流磁化响应；特征频率包括至少两个频率，且不包括f1和f2；(S4)对各特征频率处的交流磁化响应进行反演，得到线粒体的温度。本发明可以有效提高线粒体温度的测量精度，并实现实时测量。
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公开(公告)号：CN114166365B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111394856.8
申请日：2021-11-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01K7/36
摘要： 本发明公开了一种基于磁纳米粒子磁化响应的线粒体温度测量方法及系统，属于纳米尺寸目标的温度测量领域，包括：(S1)将具有靶向到线粒体的磁纳米粒子作为探针，对细胞内的线粒体进行标记，得到待测样品；(S2)将待测样品放置于温度恒定且施加有交流磁场的待测区域中，并刺激线粒体使其工作；交流磁场由频率为f1和f2的磁场混合而成，f1≠f2；(S3)检测待测样品的交流磁化响应，并进行频谱分析，以提取各特征频率处的交流磁化响应；特征频率包括至少两个频率，且不包括f1和f2；(S4)对各特征频率处的交流磁化响应进行反演，得到线粒体的温度。本发明可以有效提高线粒体温度的测量精度，并实现实时测量。
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