Invention Grant
- Patent Title: 灵敏放大器及其修补方法、存储器
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Application No.: CN202311444364.4Application Date: 2023-10-31
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Publication No.: CN117174137BPublication Date: 2024-02-06
- Inventor: 孙权
- Applicant: 长鑫存储技术有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- Agency: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- Agent 任晓; 蒋雅洁
- Main IPC: G11C11/4091
- IPC: G11C11/4091 ; G11C11/408 ; G11C11/4094 ; G11C11/4074
Abstract:
本公开实施例公开了一种灵敏放大器及其修补方法、存储器。该灵敏放大器包括:感测放大电路,包括栅极连接第一位线的第一NMOS晶体管和栅极连接第二位线的第二NMOS晶体管;偏移消除电路,包括第三晶体管和第四晶体管;偏移消除电路用于调整感测放大电路的阈值电压失配;感测放大电路还包括:并联的第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管;其中,第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管以及第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管用于感测放大第一位线或第二位线上的电压信号。通过本公开实施例的灵敏放大器,读写过程不需要OC阶段,可以节省读写时间。
Public/Granted literature
- CN117174137A 灵敏放大器及其修补方法、存储器 Public/Granted day:2023-12-05
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IPC分类: