发明公开
- 专利标题: 一种芯片厂环保回收硫酸制备高纯硫酸铜的方法
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申请号: CN202311067443.8申请日: 2023-08-23
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公开(公告)号: CN117210822A公开(公告)日: 2023-12-12
- 发明人: 郭岚峰 , 刘仁龙 , 刘作华 , 陶长元 , 杜军 , 范兴 , 魏虎
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 代理机构: 重庆缙云专利代理事务所
- 代理商 马健
- 主分类号: C25B1/01
- IPC分类号: C25B1/01 ; C25B1/50 ; C01G3/10
摘要:
本发明提供一种芯片厂环保回收硫酸制备高纯硫酸铜的方法。针对芯片制程中产生的SPM废液,本发明先进行预处理,然后采用混沌电路对其进行电催化氧化,再送入电解槽,以高纯铜片为阳极进行电解制备硫酸铜。所述电解后的硫酸铜溶液可经过微孔膜过滤、蒸发浓缩、冷却结晶,得到高纯度硫酸铜,达到芯片封装电镀级要求。本发明工艺简单,综合利用芯片厂产生的硫酸与双氧水混合废液,采用电解工艺制备出半导体封装用电镀级高纯硫酸铜,变废为宝,形成硫资源的梯级、高值化利用模式。