公开(公告)号：CN117210822A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311067443.8

申请日：2023-08-23

申请人： 重庆大学

发明人： 郭岚峰 ,  刘仁龙 ,  刘作华 ,  陶长元 ,  杜军 ,  范兴 ,  魏虎

IPC分类号： C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  C01G3/10

摘要： 本发明提供一种芯片厂环保回收硫酸制备高纯硫酸铜的方法。针对芯片制程中产生的SPM废液，本发明先进行预处理，然后采用混沌电路对其进行电催化氧化，再送入电解槽，以高纯铜片为阳极进行电解制备硫酸铜。所述电解后的硫酸铜溶液可经过微孔膜过滤、蒸发浓缩、冷却结晶，得到高纯度硫酸铜，达到芯片封装电镀级要求。本发明工艺简单，综合利用芯片厂产生的硫酸与双氧水混合废液，采用电解工艺制备出半导体封装用电镀级高纯硫酸铜，变废为宝，形成硫资源的梯级、高值化利用模式。