一种具有陷阱层的IGBT版图结构

发明公开

CN117219664A 一种具有陷阱层的IGBT版图结构审中-公开

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专利标题： 一种具有陷阱层的IGBT版图结构
申请号： CN202311122045.1

申请日： 2023-08-31
公开(公告)号： CN117219664A

公开(公告)日： 2023-12-12
发明人: 李泽宏 , 朱基弦 , 冯敬成 , 赵一尚 , 杨洋 , 王彤阳
申请人： 电子科技大学
申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
专利权人： 电子科技大学
当前专利权人： 电子科技大学
当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构： 成都点睛专利代理事务所
代理商 敖欢
主分类号： H01L29/739
IPC分类号： H01L29/739 ; H01L27/02

摘要：

本发明提供一种具有陷阱层的IGBT版图结构，相较于传统版图设计，该方案通过陷阱注入的方式增加了背面有陷阱层的P型集电极区域，从而使RC‑IGBT区域面积占比增加，RC‑IGBT区域包括背面无陷阱层的P型集电极区域和背面N型集电极区域，同时也可以缩小背面N型集电极区域的间隔距离，加快器件关断过程中的电子抽取速度，提高器件的功率密度和电流分布均匀性。

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70	...双极器件
H01L29/72	....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/739	.....受场效应控制的