发明公开
- 专利标题: 可调控低耗钼基电阻浆料体系及其制备方法
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申请号: CN202311303808.2申请日: 2023-10-09
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公开(公告)号: CN117292870A公开(公告)日: 2023-12-26
- 发明人: 李登云 , 李鹤 , 朱凯 , 刘洋 , 熊魁 , 梁思远 , 余佶成 , 岳长喜 , 聂琪 , 郑欣 , 雷鸣 , 谢东日
- 申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心)
- 申请人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心)
- 当前专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心)
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 代理机构: 北京久诚知识产权代理事务所
- 代理商 翟丽红
- 主分类号: H01B1/22
- IPC分类号: H01B1/22 ; H01B1/16 ; H01B13/00 ; H01C7/00
摘要:
本发明提供一种可调控低耗钼基电阻浆料体系及其制备方法,涉及电子材料的技术领域,电阻浆料体系包括钼基功能相、有机载体、玻璃粉以及改性纳米铜粉;电阻浆料体系的制备方法,具体包括以下步骤:S1.制备MoO3基功能相;S2.制备改性纳米铜粉;S3.制备有机载体。本发明中的MoO3功能相材料尺寸均匀且具有优异的热稳定性,使用MoO3材料作为功能相制备出的电阻浆料应用于制备厚膜电阻,厚膜电阻可以形成膜层均匀的导电层,没有出现空穴,其稳定性与导电均匀性具有大幅提升,且通过调节功能相MoO3材料在电阻浆料体系中的固含量,可以实现厚膜电阻阻值10Ω~100kΩ范围内的可控调节。