本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低折射率二氧化硅薄膜制备方法，包括：制备低折射率二氧化硅涂料溶液；使用滤芯将所述溶液加压过滤，利用旋涂法将溶液以3000rpm/min均匀地涂布到硅片上；将硅片放置到烤盘上在80℃加热2分钟，在150℃加热2分钟，在300℃加热10分钟，形成多孔隙二氧化硅薄膜；所述低折射率二氧化硅涂料溶液包括以下重量份组分：16‑20份硅氧烷化合物，8‑12份烷基季铵盐、1‑2份催化剂、1‑2份固体含量1.75％的表面活性剂、100‑120份溶剂、10‑15份去离子水。本发明可以制得折射率在1.2以下的二氧化硅薄膜，并且制备装置简单，便于经济、高效地完成大面积涂膜及复杂形态构件涂膜。