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公开(公告)号：CN117712244A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410044875.5
申请日：2024-01-12
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
摘要： 本发明属于发光二极管外延技术领域，具体涉及一种旋涂DBR结构制备方法，包括：S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11‑17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。本发明的旋涂DBR结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的DBR结构具有极高的反射率。
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公开(公告)号：CN117304719A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311259847.7
申请日：2023-09-27
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低折射率二氧化硅薄膜制备方法，包括：制备低折射率二氧化硅涂料溶液；使用滤芯将所述溶液加压过滤，利用旋涂法将溶液以3000rpm/min均匀地涂布到硅片上；将硅片放置到烤盘上在80℃加热2分钟，在150℃加热2分钟，在300℃加热10分钟，形成多孔隙二氧化硅薄膜；所述低折射率二氧化硅涂料溶液包括以下重量份组分：16‑20份硅氧烷化合物，8‑12份烷基季铵盐、1‑2份催化剂、1‑2份固体含量1.75％的表面活性剂、100‑120份溶剂、10‑15份去离子水。本发明可以制得折射率在1.2以下的二氧化硅薄膜，并且制备装置简单，便于经济、高效地完成大面积涂膜及复杂形态构件涂膜。
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公开(公告)号：CN115291469A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210970018.9
申请日：2022-08-12
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
摘要： 本发明公开一种可见光激光直写旋涂玻璃相位移掩膜的方法，包括：提供基底层以及位于基底层表面的相移膜层，在相移膜层的表面形成铬膜层，在铬膜层的表面形成光刻胶层；通过激光直写在光刻胶层上形成间隔设置的第一开口，在第一开口处对铬膜层进行蚀刻并形成第二开口，在第二开口上再形成光刻胶层；通过激光直写在第二光刻胶层上形成第三开口，对第三开口处的铬膜层进行蚀刻；对光刻胶层进行清洗并氧化去胶；对相移膜层进行激光直写。本发明的激光直写技术涵盖了多种可见光激光，且经由本发明专利技术生产的旋涂玻璃相位移掩膜具有趋向193nm短波长时的强吸收能力，可做为ArF等多类光刻术的材料使用，本发明专利技术工艺简单，具有极强的实用性。
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公开(公告)号：CN117476445B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311437991.5
申请日：2023-10-31
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
IPC分类号： H01L21/033 , B05D1/00 , B05D3/02
摘要： 本发明涉及SOC膜层制备方法，包括：S1、将浓盐酸和去离子水配置成稀酸盐；S2、将苯胺与稀盐酸混合，在室温和氮气环境下搅拌10‑60mi n，加入18％的甲醛溶液，在氮气环境下反应3h获得MDA溶液；S3、滴加氢氧化钾溶液使MDA析出沉淀获得MDA混合物粉末；S4、将MDA混合物粉末与马来酸酐混合，加入二甲基酰胺、对甲苯磺酸和聚烯化抑制剂，在氮气环境下搅拌5mi n，加入甲苯搅拌均匀；S5、将温度升至110℃‑130℃，反应12h，用分水管将蒸出的水分排出；S6、反应完毕后倒入去离子水中沉淀，待上层有机层清澈后过滤出下层水层中沉淀固体；S7、将过滤出的沉淀固体与环己酮配置成旋涂溶液；S8、在旋涂机上旋涂烘烤固化形成SOC膜层。本发明的SOC膜层制备方法步骤简单，操作安全。
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公开(公告)号：CN117447234A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311338261.X
申请日：2023-10-17
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
IPC分类号： C04B41/50
摘要： 本发明涉及耐超高温旋涂玻璃膜层制备方法，S1、将旋涂玻璃材料在基体上连续旋涂三次，旋涂速率为350rpm/mi n；S2、第三次旋涂后在200℃温度下烘烤60秒，烘烤后冷却20分钟；S3、进行第四次和第五次旋涂，旋涂速率为350rpm/mi n；第五次旋涂结束后，在200℃温度下烘烤60秒，烘烤后冷却20分钟，获得耐超高温旋涂玻璃膜层。本发明的耐超高温旋涂玻璃膜层制备方法，具有耐超高温性能，在950‑1100℃高温，仍会保留0.9‑1微米完好膜层。
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公开(公告)号：CN117423783A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311389057.0
申请日：2023-10-25
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
摘要： 本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种MicroLED尖锥状结构制备方法,包括：S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构。本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法，通过将半导体材料压入尖锥状凹穴，利用重力原理(液体往低处流)，确保高温固化式尖锥结构仍然能保持形状、角度完整，不会出现现有技术中的坍塌现象，有利于提升成品率，满足使用要求。
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公开(公告)号：CN117423783B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311389057.0
申请日：2023-10-25
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
摘要： 本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种MicroLED尖锥状结构制备方法,包括：S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构。本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法，通过将半导体材料压入尖锥状凹穴，利用重力原理(液体往低处流)，确保高温固化式尖锥结构仍然能保持形状、角度完整，不会出现现有技术中的坍塌现象，有利于提升成品率，满足使用要求。
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公开(公告)号：CN117476445A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311437991.5
申请日：2023-10-31
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
IPC分类号： H01L21/033 , B05D1/00 , B05D3/02
摘要： 本发明涉及SOC膜层制备方法，包括：S1、将浓盐酸和去离子水配置成稀酸盐；S2、将苯胺与稀盐酸混合，在室温和氮气环境下搅拌10‑60mi n，加入18％的甲醛溶液，在氮气环境下反应3h获得MDA溶液；S3、滴加氢氧化钾溶液使MDA析出沉淀获得MDA混合物粉末；S4、将MDA混合物粉末与马来酸酐混合，加入二甲基酰胺、对甲苯磺酸和聚烯化抑制剂，在氮气环境下搅拌5mi n，加入甲苯搅拌均匀；S5、将温度升至110℃‑130℃，反应12h，用分水管将蒸出的水分排出；S6、反应完毕后倒入去离子水中沉淀，待上层有机层清澈后过滤出下层水层中沉淀固体；S7、将过滤出的沉淀固体与环己酮配置成旋涂溶液；S8、在旋涂机上旋涂烘烤固化形成SOC膜层。本发明的SOC膜层制备方法步骤简单，操作安全。
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公开(公告)号：CN117363063A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311315821.X
申请日：2023-10-12
申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司
摘要： 本发明涉及纳米氧化钛旋涂材料制备方法，包括：使用无机酸将有机溶剂酸化，获得混合溶液A；向所述混合溶液A中滴加钛源，室温下搅拌1小时；添加表面活性剂获得纳米氧化钛旋涂材料。本发明的纳米氧化钛旋涂材料制备方法，操作简单，只需要将金属前驱体分散于已酸化的有机溶剂中，再以表面活性剂调整配方，即可获得纳米氧化钛旋涂材料，所需工艺时间短，条件温和，在室温条件下即可进行，并且无需真空环境。
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