公开(公告)号：CN117712244A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410044875.5

申请日：2024-01-12

申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司

发明人： 李铮 ,  陈维恕 ,  刘欣 ,  吴显印 ,  王云 ,  段轶飞 ,  何丹丹 ,  黄师侨 ,  余镭 ,  甘柳花

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46

摘要： 本发明属于发光二极管外延技术领域，具体涉及一种旋涂DBR结构制备方法，包括：S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11‑17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。本发明的旋涂DBR结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的DBR结构具有极高的反射率。

公开(公告)号：CN117304719A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311259847.7

申请日：2023-09-27

申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司

发明人： 王云 ,  陈维恕 ,  黄师侨 ,  余镭 ,  何丹丹 ,  李铮 ,  陈梓铭

IPC分类号： C09D1/00 ,  C23C18/12 ,  C04B41/50 ,  C01B33/12 ,  C09D7/63

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低折射率二氧化硅薄膜制备方法，包括：制备低折射率二氧化硅涂料溶液；使用滤芯将所述溶液加压过滤，利用旋涂法将溶液以3000rpm/min均匀地涂布到硅片上；将硅片放置到烤盘上在80℃加热2分钟，在150℃加热2分钟，在300℃加热10分钟，形成多孔隙二氧化硅薄膜；所述低折射率二氧化硅涂料溶液包括以下重量份组分：16‑20份硅氧烷化合物，8‑12份烷基季铵盐、1‑2份催化剂、1‑2份固体含量1.75％的表面活性剂、100‑120份溶剂、10‑15份去离子水。本发明可以制得折射率在1.2以下的二氧化硅薄膜，并且制备装置简单，便于经济、高效地完成大面积涂膜及复杂形态构件涂膜。

公开(公告)号：CN117476445B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311437991.5

申请日：2023-10-31

申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司

发明人： 段轶飞 ,  张鉴伟 ,  王云 ,  余镭 ,  李铮 ,  陈维恕 ,  何丹丹 ,  黄师侨 ,  陈梓铭

IPC分类号： H01L21/033 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02

摘要： 本发明涉及SOC膜层制备方法，包括：S1、将浓盐酸和去离子水配置成稀酸盐；S2、将苯胺与稀盐酸混合，在室温和氮气环境下搅拌10‑60mi n，加入18％的甲醛溶液，在氮气环境下反应3h获得MDA溶液；S3、滴加氢氧化钾溶液使MDA析出沉淀获得MDA混合物粉末；S4、将MDA混合物粉末与马来酸酐混合，加入二甲基酰胺、对甲苯磺酸和聚烯化抑制剂，在氮气环境下搅拌5mi n，加入甲苯搅拌均匀；S5、将温度升至110℃‑130℃，反应12h，用分水管将蒸出的水分排出；S6、反应完毕后倒入去离子水中沉淀，待上层有机层清澈后过滤出下层水层中沉淀固体；S7、将过滤出的沉淀固体与环己酮配置成旋涂溶液；S8、在旋涂机上旋涂烘烤固化形成SOC膜层。本发明的SOC膜层制备方法步骤简单，操作安全。

公开(公告)号：CN117447234A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311338261.X

申请日：2023-10-17

申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司

发明人： 李铮 ,  王云 ,  余镭 ,  段轶飞 ,  刘欣 ,  何丹丹 ,  黄师侨 ,  甘柳花 ,  陈维恕 ,  陈梓铭 ,  曾繁沐 ,  郑宇霖 ,  魏勇

IPC分类号： C04B41/50

摘要： 本发明涉及耐超高温旋涂玻璃膜层制备方法，S1、将旋涂玻璃材料在基体上连续旋涂三次，旋涂速率为350rpm/mi n；S2、第三次旋涂后在200℃温度下烘烤60秒，烘烤后冷却20分钟；S3、进行第四次和第五次旋涂，旋涂速率为350rpm/mi n；第五次旋涂结束后，在200℃温度下烘烤60秒，烘烤后冷却20分钟，获得耐超高温旋涂玻璃膜层。本发明的耐超高温旋涂玻璃膜层制备方法，具有耐超高温性能，在950‑1100℃高温，仍会保留0.9‑1微米完好膜层。

公开(公告)号：CN117476445A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311437991.5

申请日：2023-10-31

申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司

发明人： 段轶飞 ,  张鉴伟 ,  王云 ,  余镭 ,  李铮 ,  陈维恕 ,  何丹丹 ,  黄师侨 ,  陈梓铭

IPC分类号： H01L21/033 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02

摘要： 本发明涉及SOC膜层制备方法，包括：S1、将浓盐酸和去离子水配置成稀酸盐；S2、将苯胺与稀盐酸混合，在室温和氮气环境下搅拌10‑60mi n，加入18％的甲醛溶液，在氮气环境下反应3h获得MDA溶液；S3、滴加氢氧化钾溶液使MDA析出沉淀获得MDA混合物粉末；S4、将MDA混合物粉末与马来酸酐混合，加入二甲基酰胺、对甲苯磺酸和聚烯化抑制剂，在氮气环境下搅拌5mi n，加入甲苯搅拌均匀；S5、将温度升至110℃‑130℃，反应12h，用分水管将蒸出的水分排出；S6、反应完毕后倒入去离子水中沉淀，待上层有机层清澈后过滤出下层水层中沉淀固体；S7、将过滤出的沉淀固体与环己酮配置成旋涂溶液；S8、在旋涂机上旋涂烘烤固化形成SOC膜层。本发明的SOC膜层制备方法步骤简单，操作安全。

公开(公告)号：CN117363063A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311315821.X

申请日：2023-10-12

申请人： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司

发明人： 张鉴伟 ,  陈维恕 ,  王云 ,  余镭 ,  段轶飞 ,  李铮 ,  刘欣 ,  何丹丹 ,  黄师侨 ,  陈梓铭 ,  甘柳花

IPC分类号： C09D1/00 ,  C09D7/20 ,  C09D7/65

摘要： 本发明涉及纳米氧化钛旋涂材料制备方法，包括：使用无机酸将有机溶剂酸化，获得混合溶液A；向所述混合溶液A中滴加钛源，室温下搅拌1小时；添加表面活性剂获得纳米氧化钛旋涂材料。本发明的纳米氧化钛旋涂材料制备方法，操作简单，只需要将金属前驱体分散于已酸化的有机溶剂中，再以表面活性剂调整配方，即可获得纳米氧化钛旋涂材料，所需工艺时间短，条件温和，在室温条件下即可进行，并且无需真空环境。