发明公开
CN117321731A 沉积薄膜的方法
审中-实审
- 专利标题： 沉积薄膜的方法
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申请号： CN202280034996.0申请日： 2022-05-04
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公开(公告)号： CN117321731A公开(公告)日： 2023-12-29
- 发明人: 金润晶 , 李廷均
- 申请人： 周星工程股份有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人： 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李旭; 姚鹏
- 优先权： 10-2021-0063491 2021.05.17 KR
- 国际申请： PCT/KR2022/006409 2022.05.04
- 国际公布： WO2022/245021 KO 2022.11.24
- 进入国家日期： 2023-11-14
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本公开涉及一种沉积薄膜的方法，更具体地，涉及一种在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的薄膜沉积方法。根据本发明的实施例的沉积薄膜的方法包括：准备具有多个半导体区域的碳化硅基板；以及通过原子层沉积制程在介于100℃至400℃的温度于所述碳化硅基板上形成栅极绝缘膜。