公开(公告)号：CN110770917B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201880039783.0

申请日：2018-07-11

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 申贤教 ,  金德镐 ,  金容玹 ,  马彰秀 ,  闵庆仁 ,  朴昶均 ,  李廷均

IPC分类号： H01L31/0445 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/05

摘要： 本发明涉及一种薄膜型太阳能电池，该薄膜型太阳能电池包括：多个单元电池，多个单元电池在基板上彼此串联连接；以及光透射部，光透射部设置在多个单元电池中，其中，光透射部具有不连续直线结构。本发明包括不连续地形成的光透射部，因此能够降低由多个点图案构成的光透射部的重复性。因此本发明能够有效地解决光穿过光透射部时出现诸如莫尔现象的波形图案的问题。

公开(公告)号：CN110770917A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880039783.0

申请日：2018-07-11

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 申贤教 ,  金德镐 ,  金容玹 ,  马彰秀 ,  闵庆仁 ,  朴昶均 ,  李廷均

IPC分类号： H01L31/0445 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/05

摘要： 本发明涉及一种薄膜型太阳能电池，该薄膜型太阳能电池包括：多个单元电池，多个单元电池在基板上彼此串联连接；以及光透射部，光透射部设置在多个单元电池中，其中，光透射部具有不连续直线结构。本发明包括不连续地形成的光透射部，因此能够降低由多个点图案构成的光透射部的重复性。因此本发明能够有效地解决光穿过光透射部时出现诸如莫尔现象的波形图案的问题。

公开(公告)号：CN117321731A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280034996.0

申请日：2022-05-04

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 金润晶 ,  李廷均

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本公开涉及一种沉积薄膜的方法，更具体地，涉及一种在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的薄膜沉积方法。根据本发明的实施例的沉积薄膜的方法包括：准备具有多个半导体区域的碳化硅基板；以及通过原子层沉积制程在介于100℃至400℃的温度于所述碳化硅基板上形成栅极绝缘膜。