发明公开
- 专利标题: 一种高熵合金强化的浸渍型阴极及其制备方法
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申请号: CN202311242435.2申请日: 2023-09-25
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公开(公告)号: CN117344190A公开(公告)日: 2024-01-05
- 发明人: 王金淑 , 高俊妍 , 周文元 , 刘鹏 , 刘红梅
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张立改
- 主分类号: C22C30/00
- IPC分类号: C22C30/00 ; B22F1/142 ; B22F9/04 ; B22F3/02 ; B22F3/10 ; B22F3/26 ; B22F5/00 ; H01J1/32 ; H01J9/02
摘要:
一种高熵合金强化的浸渍型阴极及其制备方法,属于难熔高熵合金领域。具体步骤:1)将Os、Ir、Re、W和Ru原料粉末放入坩埚中,氢气中退火。称取原料粉末进行混合;2)利用球磨干磨混合均匀;3)粉末压制成型:将球磨后的粉末放入磨具中压制,保压20s~43s;4)将压制好的生坯放入氢气炉中烧结,通入氢气,首先30min升温至850℃,然后以8.5℃/min的升温速率,加热至1380~1620℃,保温15~55min;经1660~1690℃浸渍活性盐。本发明浸渍型阴极具有以简单Hcp固溶体为主的组织结构的阴极基体,具有高熔点、大的浸渍量、高温稳定性、高的电流发射密度等优点。