本发明提供了一种LED芯片键合方法及LED芯片，其中，所述LED芯片键合方法包括：提供发光二极管外延片，所述外延片上顺次形成反射镜层、第一粘结金属层、第一阻挡金属层及第一键合层；提供支撑基板，所述基板上顺次形成第二粘结金属层、第二阻挡金属层及第二键合层；将所述外延片与基板键合在一起，形成第三键合层；其中，第一键合层和第二键合层为高熔点金属层Cu与低熔点金属层In组成的周期性结构，使得键合反应快速而充分地进行；所述低熔点金属层的表面为键合时的贴合面。该方法通过采用Cu‑In固液互扩散键合工艺来键合LED外延片和基板，避免了贵金属Au的使用，从而降低了LED芯片制造成本。