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公开(公告)号：CN117393662A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311379758.6
申请日：2023-10-24
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供一种电流阻挡层的制备方法、硅衬底垂直结构LED芯片。电流阻挡层的制备方法包括以下步骤：（1）清洗硅衬底外延片表面；（2）使用气相化学沉积仪在硅衬底外延片表面沉积二氧化硅；（3）在所述二氧化硅表面沉积氧化铝；（4）在所述氧化铝表面涂覆光刻胶，使用掩膜版曝光后显影并刻蚀二氧化硅和氧化铝至外延片表面露出，去除光刻胶，得到电流阻挡层。硅衬底垂直结构LED芯片自下而上为硅基板、保护粘结金属层、反射金属层、电流阻挡层、半导体发光层、N电极金属层。本发明的电流阻挡层可抑制N电极下方有源区发光，使电流扩散更均匀、提高芯片发光效率；避免现有工艺在制备电流阻挡层时产生的刻蚀损伤导致芯片良率和可靠性降低。
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公开(公告)号：CN117352602A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311191810.5
申请日：2023-09-15
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供了一种LED芯片键合方法及LED芯片，其中，所述LED芯片键合方法包括：提供发光二极管外延片，所述外延片上顺次形成反射镜层、第一粘结金属层、第一阻挡金属层及第一键合层；提供支撑基板，所述基板上顺次形成第二粘结金属层、第二阻挡金属层及第二键合层；将所述外延片与基板键合在一起，形成第三键合层；其中，第一键合层和第二键合层为高熔点金属层Cu与低熔点金属层In组成的周期性结构，使得键合反应快速而充分地进行；所述低熔点金属层的表面为键合时的贴合面。该方法通过采用Cu‑In固液互扩散键合工艺来键合LED外延片和基板，避免了贵金属Au的使用，从而降低了LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN113257973B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011418472.0
申请日：2020-12-07
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
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公开(公告)号：CN112635634A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011418477.3
申请日：2020-12-07
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外LED的P型欧姆反射电极结构及其制备方法，所述P型欧姆反射电极结构采用NiOx/Al。制备方法为：先沉积Ni层，厚度为0.1nm‑10nm；在含氧氛围下进行氧化，使镍氧化成NiOx，降低与P‑AlGaInN的接触电阻；再制备Al层，厚度为10 nm‑300 nm。本发明提出的NiOx/Al P型欧姆反射电极，应用于紫外LED，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，有助于获得高光效的紫外LED。
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公开(公告)号：CN115425132A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211180370.9
申请日：2022-09-26
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高显示对比度的垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，此LED芯片的结构从下至上依次包括：支撑基板、邦定层金属、P型反射电极层、半导体层和N型电极；半导体层包括P型半导体层、量子阱发光半导体层、N型半导体层；其中，半导体层被隔离为发光区域和不发光区域的两种功能区域，两个区域均与底部P型反射电极层连通，仅发光区域的N型半导体层上具有N型电极，且两种功能区的N型半导体层的均为相同材料和相同的表面粗化结构。此器件结构和制备方法工艺简单、成本低，通过保留与通电发光区域相同材料和相同粗化结构表面的不发光区域的半导体层，可明显提高芯片发光的环境对比度，获得高对比度的垂直结构GaN基LED显示芯片。
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公开(公告)号：CN116314525A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310203891.X
申请日：2023-03-06
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法，所述LED芯片从下到上依次包括导电基板、金属键合层、第一电极、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层、第二电极；所述互补层与电流阻挡层的位置上下对应；所述电流阻挡层形成于第二半导体层的表面；所述第二电极形成于电流阻挡层的表面；所述第二电极包括焊盘、传输电极和传输注入电极，焊盘和传输电极的宽度均小于焊盘和传输电极下方的电流阻挡层的宽度，传输注入电极的宽度大于传输注入电极下方的电流阻挡层宽度，通过对第二电极与电流阻挡层的宽度设计，减小电极下方电流拥挤，提高了大功率LED电流扩展均匀性，提高了大电流下芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN113257973A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011418472.0
申请日：2020-12-07
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
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